Projet ANR-PNANO : OSiGe

Modélisation multi-échelle de l'oxydation, la diffusion et les contraintes dans SiGe

L'alliage silicium-germanium est de plus en plus utilisé en micro-électronique notamment en couche mince (quelques nanomètres) pour réaliser différents dispositifs. La faible taille de ces films fait apparaître des effets physiques plus fins qu'auparavant, qu'il faut pouvoir inclure dans les simulateurs traditionnels de la micro-électronique. Ceci nécessite de nouveaux modèles phénoménologiques des comportements des matériaux.

L'ambition de ce projet est de fournir ces modèles nécessaires aux technologues pour maîtriser les étapes d'oxydation et de recuit des couches contraintes de SiGe, en donnant les couplages entre diffusion, concentration, température et élasticité. Ces modèles seront obtenus grâce aux outils de la simulation atomique (calcul ab initio, dynamique moléculaire et Monte Carlo cinétique). La validation comportera une phase de comparaison expérimentale et une phase d’intégration dans les simulateurs traditionnels.

Comité de pilotage

Le projet est constitué de 5 partenaires dont les responsables sont :

Dr. Pascal Pochet, Coordinateur du projet, groupe de simulation atomistique (L_Sim) au CEA, Grenoble;
Prof. Mehdi Djafari-Rouhani, Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (LAAS), Toulouse ;
Dr. Guy Tréglia, Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Marseille;
Dr. Philippe Blaise, Laboratoire de Simulation et Caractérisation des Procédés (LSCDP) au CEA-Leti, Grenoble;
Dr. Hervé Jaouen, Crolles modeling department à STmicroelectronics (ST) Crolles.